Primer dispositivo chino de energía de carburo de silicio de alto voltaje logra validación espacial

Song Lingdong, astronauta de Shenzhou-19, realiza actividades extravehiculares fuera de la estación espacial orbital, monitoreado desde el Centro de Control Aeroespacial de Beijing, 20 de enero del 2025. (Foto: Xinhua/ Liu Fang)

Por Deng Xiaoci

El primer dispositivo de energía de carburo de silicio (SiC) resistente a la radiación de alto voltaje producido en China, ha logrado superar la validación espacial y la aplicación en órbita en sistemas de energía. En comparación con los módulos de energía espacial que utilizan dispositivos de energía tradicionales basados en silicio, la eficiencia de los módulos de energía espacial que utilizan SiC aumentó del 85 al 95 por ciento, y la relación potencia-volumen mejoró cinco veces, afirmaron sus desarrolladores.

La carga útil de SiC, desarrollada conjuntamente por el Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (CAS) y el Centro de Tecnología e Ingeniería para la Utilización del Espacio de la CAS, se lanzó el 15 de noviembre de 2024 a bordo de la nave espacial de carga Tianzhou-8, comenzando su viaje como experimento científico en órbita de la Estación Espacial de China.

Los dispositivos de potencia son los componentes centrales para la conversión y el control de la energía eléctrica, a menudo denominados el corazón de los sistemas de electrónica de potencia. Se encuentran entre los componentes más fundamentales y ampliamente utilizados. A medida que el rendimiento de los dispositivos de potencia basados en silicio se acerca a sus límites, los materiales semiconductores de tercera generación representados por SiC ofrecen ventajas únicas, como una amplia banda prohibida y una alta intensidad de campo de ruptura, lo que mejora significativamente la eficiencia de potencia y conversión de los sistemas de energía, aseguraron los desarrolladores al Global Times.

Después de más de un mes de pruebas de encendido en órbita, los datos de prueba de la carga útil de SiC fueron normales. El dispositivo de potencia de SiC de 400 V de alto voltaje ha completado con éxito las pruebas en órbita y la verificación de la aplicación, y los parámetros estáticos y dinámicos del sistema de energía cumplen con las expectativas.

En el futuro, los dispositivos de energía de SiC impulsarán la actualización de los sistemas de energía espacial, proporcionando una nueva generación de dispositivos de energía para la exploración lunar de China, el aterrizaje lunar tripulado, la exploración del espacio profundo y otras misiones, aseguraron los desarrolladores.