[Foto: ymtc.com]
Por Yu Xiaoming
Wuhan, 15/04/2020 (El Pueblo en Línea) - Yangtze Memory Technologies, una subsidiaria de Tsinghua Unigroup, lanzó este lunes el primer microprocesador QLC 3D NAND de 128 capas de memoria flash X2-6070.
Es el primer chip de memoria flash NAND 3D de 128 capas basado en QLC del mundo, y es también el primer microprocesador de memoria flash NAND 3D de 128 capas en China, informó Xinhua.
QLC, o célula de nivel cuádruple, es un enfoque necesario y de capital eficiente para reducir el costo de la memoria flash NAND, afirmó Gregory Wong, fundador y analista jefe de Forward Insights, una empresa de investigación de mercado en el campo de la memoria flash y las unidades de estado sólido.
El QLC, debido su gran capacidad, rentabilidad y eficiencia para aplicaciones de lectura intensiva, es adecuado como medio de almacenamiento de alta capacidad, añadió Wong.
Los microprocesadores de memoria, que forman parte de la base de toda la industria de la tecnología de la información y la comunicación, se utilizan ampliamente en teléfonos inteligentes, ordenadores y servidores. La computación en la nube y las tecnologías 5G también se basan en el desarrollo de microprocesadores de memoria.
Actualmente, existe una gran brecha tecnológica entre los fabricantes nacionales y sus contrapartes extranjeras, destacó un investigador a Xinhua.
Sin embargo, Yangtze Memory Technologies ha llenado el vacío en los microprocesadores de memoria flash NAND 3D. La empresa espera, a finales de este año o en la primera mitad del próximo, comenzar la producción en masa de sus productos de 128 capas .
"Los productos de 128 capas deben venderse bien", añadió el investigador.
CITICS Securities precisó que el año pasado las ventas mundiales de microprocesadores de memoria totalizaron 120.000 millones de dólares estadounidenses, valor que representa casi el 30 por ciento del mercado de semiconductores, calculado en 400.000 millones de dólares estadounidenses. Entre ellas, las ventas de DRAM alcanzaron los 62.000 millones de dólares estadounidenses, mientras que el flash NAND ganó 57.000 millones de dólares estadounidenses.
Tres fabricantes de DRAM de Corea del Sur y Estados Unidos mantienen el 95 por ciento de la cuota de mercado. Entre ellos, Samsung y SK Hynix representan el 75 por ciento.
Mientras tanto, la cuota de mercado de seis fabricantes de flash NAND de Corea del Sur, Estados Unidos y Japón representan el 99 por ciento del total. De ellos, Samsung, SK Hynix y Kioxia obtuvieron una cuota de mercado de más del 60 por ciento.
El año pasado, Samsung, SK Hynix y Micron lanzaron los últimos productos NAND 3D de 128 capas, y planean este año comenzar su producción masiva.
A medida que Yangtze Memory Technologies desarrolla sus nuevos productos, los microprocesadores flash chinos de 128 capas están listos para entrar en el mercado mundial y competir en un futuro próximo con sus homólogos extranjeros.
(Web editor: 吴思萱, 赵健)