Heteroestructuras en equipos electrónicos

Actualizado a las 25/07/2018 - 10:07

Palabras clave：equipos,electrónicos,Heteroestructuras

CC BY-SA 2.0 / Uwe Hermann / Intel Celeron CPU

Moscú, 25/07/2018 (El Pueblo en Línea) - Casi todos los componentes de los actuales dispositivos electrónicos —transistores, diodos emisores de luz, fotodetectores, láseres semiconductores o paneles solares— están construidos a partir de las llamadas heteroestructuras, destacó RT.

Las heteroestructuras son muy importantes para desarrollar transistores de alta movilidad de electrones (HEMT por sus siglas en inglés) que se usan en equipos electrónicos de frecuencias superaltas: sistemas de comunicación por satélite, radares o dispositivos móviles.

La ventaja principal de la HEMT es la velocidad de movimiento de los electrones, que garantiza una alta frecuencia de conmutación de transistores y hace posible superar el orden de varias decenas de GHz. Esto se consigue agregando al sistema materiales con alta movilidad de electrones (GaAs, InAs) y con la ubicación del aditivo fuera de la capa conductora.

Las dimensiones de las celdas cristalinas InAs y GaAs no coinciden. El crecimiento de un InAs puro en sustratos GaAs produce grietas y no permite obtener un equipo que funcione. Los sustratos de InAs no son lo suficientemente firmes.

Así las cosas, una tarea importante para la física de heteroestructuras es desarrollar capas separadoras que harán posible el crecimiento de una capa sin defectos InyGa1-yAs con el mayor contenido posible de InAs. Se trata de las llamadas estructuras seudomorfas HEMT o PHEMT que se usan en la mayoría de amplificadores de frecuencias superaltas profesionales.